# Circuit Simulation

## 電路模擬

在電路模擬的初期，基於兩個面向：一方面加快模擬速度；一方面也再確認電路拓譜是沒問題前修改較便利。所以我先採用理想元件來預估設計。由電路上的電流分佈，元件的選用變得有參考。確認電路正確後，慢慢的置換裡面元件，換成非理想元件再模擬。考慮非理想元件，可以讓電路模擬更趨近真實。

<figure><img src="https://1691087504-files.gitbook.io/~/files/v0/b/gitbook-x-prod.appspot.com/o/spaces%2FGOeQfkY4YEwpcFVViW8X%2Fuploads%2FRc4kxdmzGWXobNMKai7u%2Fimage.png?alt=media&#x26;token=1ba48313-d383-4bee-8ee5-559fef3ee025" alt=""><figcaption><p>圖2-2</p></figcaption></figure>

## Q3D 模型建立

元件選擇也確立後，接著開始進行 Busbar 的機構 3D建模。3D  模型匯入到 Q3D 中做寄生漏感的萃取。在本驅動器案例中，我們定義的是從 IGBT 輸出各相的短路漏感，模擬的時候，在此將電容做短路等效。

<figure><img src="https://1691087504-files.gitbook.io/~/files/v0/b/gitbook-x-prod.appspot.com/o/spaces%2FGOeQfkY4YEwpcFVViW8X%2Fuploads%2FNEA6EWcDvCLwPh6nEWiS%2Fimage.png?alt=media&#x26;token=43d271ac-d77c-47f6-b9cb-1315a6439b37" alt=""><figcaption><p>圖2-3</p></figcaption></figure>

{% hint style="info" %}
模擬為了快速，筆者使用了 Reduce Matrix 中 AddSink 的功能來看各相漏感。但要提醒使用者，如果要做漏感的精確確認，建議要獨立萃取漏感。
{% endhint %}

完成 Power Busbar 的初步漏感設計確認後，緊接著是把剛剛的 Q3D 模型做重新的激發源端口設定。

<figure><img src="https://1691087504-files.gitbook.io/~/files/v0/b/gitbook-x-prod.appspot.com/o/spaces%2FGOeQfkY4YEwpcFVViW8X%2Fuploads%2FJyJeQFYpTQLrNnq1gEIN%2Fimage.png?alt=media&#x26;token=c59d8800-a113-43ae-a3e3-8c0da17cfeb0" alt=""><figcaption><p>圖2-4</p></figcaption></figure>

Q3D 模型完成模擬後，在 Simplorer 中匯入 State Space 的 Q3D ROM (圖2-5)，再次模擬電路(註)。Q3D State Space 的 ROM 非常重要，它考慮了多頻率的寄生阻抗模型，尤其是有高頻切換的系統，會讓電路模擬更接近實際情況。

<figure><img src="https://1691087504-files.gitbook.io/~/files/v0/b/gitbook-x-prod.appspot.com/o/spaces%2FGOeQfkY4YEwpcFVViW8X%2Fuploads%2FdHCHViUgxl0Bp8BSSX1g%2Fimage.png?alt=media&#x26;token=97472be3-f42c-45a7-9fb7-cb67829ccebe" alt="" width="563"><figcaption><p>圖2-5</p></figcaption></figure>

{% hint style="info" %}
如果不考慮電流分佈，也可以利用 Simplorer 與 Q3D 來做Busbar 的損耗預估。
{% endhint %}
